上海，，2013年4月8日—— 一站式定制芯片及IP供应商——，，，
，威烨半导体（上海）有限公司（以下简称“威烨半导体”）今日宣布，
，，，其基于0.11微米工艺平台而开发的USB 2.0物理层设计（PHY）已通过USB-IF的高速产品测试程序，
，，，并取得了USB-IF的高速产品商标 
。
。。该USB 2.0物理层设计同时支持器件和主机应用的On-The-Go(OTG)规范，，可以用于所有需要USB 2.0的相关产品，，，，比如实现数据存储的桥应用程序接口
，，以及移动手持设备的SoC整合等
。。

威烨半导体在该物理层设计的PLL，，
，，I/O等关键模块上
，， 采用创新的架构和技术，，，
，使其性能相比于竞争者的产品，，具有尺寸更小、、
、、功耗更低、、性能更好的优点。。
。同时，，，威烨半导体今年还将推出基于55纳米工艺节点的USB物理层设计，，，并着手开发40纳米工艺节点的USB物理层设计
。。。

中芯国际首席执行官邱慈云博士指出：“虽然USB3.0已上市多年，，
，，但目前市场主流、、、、出货量最大的还是USB2.0。。。威烨半导体的USB 2.0 OTG PHY通过USB-IF协会标志，，，体现了威烨对于核“芯”技术质量的重视。。。他们不但追求性能与成本的优越，，，，可靠的品质更是其重要的设计指标。。。。我们期待未来能合作推出更多高品质的技术
。。。。”

“USB无处不在，，，而USB 2.0仍是目前消费类和工业类芯片中最主流的接口。
。威烨半导体致力于设计开发高速接口IP、、利用先进稳定的0.11微米工艺开发高度整合的USB物理层设计”，，，，威烨半导体总裁兼首席执行官职春星博士说，，
，“威烨半导体USB 2.0 OTG PHY通过USB-IF协会标志，，，，这对于威烨半导体在IP开发领域具有里程碑的意义，，，意味着我们可以为客户提供符合USB-IF认证规范的、、、高性能的
、、、可靠的USB物理层设计，，，从而保证客户ASIC产品的质量
。。”